شبیه سازی رشد لایه های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی

شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی

در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (A) و ناخالصی(C) می‌پردازیم و نمای مقیاسی رشد  و نمای مقیاسی زبری  را به‌دست می‌آوریم و آن‌ها را با کلاس جهانی ارائه ‌شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (KPZ) مقایسه می‌کنیم. نتایج به‌دست‌آمده وجود یک احتمال بحرانی  را نشان می‌دهند، به‌گونه‌ای که به‌ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جه...

تاثیر ناخالصی Cu بر ساختار اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک سولفید کادمیم

مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی

در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...

شبیه سازی دینامیک ملکولی ذخیره سازی هیدروژن در نانو ذرات FeTi و نانو لوله های کربنی تک لایه (SWNT)

یافتن روشی مناسب برای ذخیره سازی مقدار زیادی گاز هیدروژن و با ایمنی لازم  برای استفاده در خودروها و سایر تجهیزات همچنان توجه مراکز پژوهشی انرژی و محیط زیست را به خود جلب نموده است. در این پژوهش با انجام شبیه سازی دینامیک ملکولی (MD) میزان هیدروژن جذب شده در سیستم نانو ذرات  FeTi و نانو لوله ها کربنی تک لایه (SWNT) در محدوده دمایی 100-60 کلوین، با محاسبه مقدار جذب هیدروژن (θ)، آنتالپی جذب (q) و ...

شبیه سازی مونت کارلوی مواد فعال سطحی در حضور آلاینده های هیدروکربنی

مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...